56、SysTick的中断实现可以有两种方式：循环等待和中断法。推荐用循环等待，中断法可能会出问题而且占用资源。

57、部分I/O引脚是5V兼容的。单个I/O的最大驱动电流和灌入电流均为25mA。整个芯片的电流为150mA

58、KEIL支持位段操作，可以利用C语言中的位段知识定义位段结构体，然后对单独的寄存器进行单独的位操作。

59、关于内部上下拉电阻的设置：如果外部的按键另一头接地，那么需要设置成上拉电阻。（理由是当没有按下按键时，由于上拉，输入为高电平；按下时，由于外部接地，输入为低电平。）同理，如果外部的按键另一头接高电平，那么需要设置成下拉电阻。

60、串口中断TXE和TC的区别：其实很明显，一个是发送寄存器空标志，一个是发送完成标志。因为串口在发送的时候首先需要把发送寄存器中的数据移位到移位寄存器（影子寄存器）后再串行发送出去。所以当发送寄存器DR空时说明现在可能正在往外面发送数据，数据可能还没有发送完。但是发送完成不一样，他是在移位寄存器将本次数据全部移位完成后设置的标志位（也就是发送完了停止位）。这么看来：TXE允许程序有更充裕的时间填写TDR寄存器，保证发送的数据流不间断。TC可以让程序知道发送结束的确切时间，有利于程序控制外部数据流的时序。

61、窗口看门狗顾名思义有一个窗口，这个窗口的横坐标为时间，意思是在指定的时间范围内刷新寄存器，否则单片机复位。窗口的上限由人来设定W[6:0]，下线定死为0x40Twwdg=(4096×2^WDGTB×(T[5:0]+1)) /Fpclk1；Twwdg为超时时间ms，Fpclk1为APB1时钟KHz，

62、TIMx通用定时器有4个独立通道，分别可以用来作为：输入捕获、比较输出、PWM生成、单脉冲模式输出。

63、定时器的时钟来源有4个：内部时钟（CK_INT），外部时钟模式1（TIx），外部时钟模式2（ETR），内部触发模式（ITRx，这个用来定时器的同步）

64、定时器中断溢出更新时间：Tout=((arr+1)*(psc+1))/Tclk，ARR为自动装载寄存器（1~65535）、PSC为分频系数，TCLK为输入时钟频率（Mhz）

65、PWM1和PWM2模式的区别仅在于相位的180度。前者高电平时，后者低电平。感觉好鸡肋，OCxREF极性就可以实现这个功能。

66、定时器输入捕捉有一个滤波器，顾名思义滤波器起到的就是滤波的作用，在捕捉外部信号时，信号可能不稳定，此时需要滤波：当检测到有外部输入时，需要再连续采样N次如果确定为高电平/低电平，则触发响应中断（如果开启了的话）。

67、电容触摸屏原理：通过充放电的曲线不同来检测是否被按下。实际的实验过程中，TPAD可以用一块覆铜区域来替代，通过电容的充放电常数来确定是否按下。

68、OLED，即有机发光二极管（OrganicLight-Emitting Diode），又称为有机电激光显示（Organic Electroluminesence Display，OELD）。下图为OLED的GRAM与屏幕的对应表

PAGE2单独列出来：

69、USART可以操纵SPI设备。不过最大频率只有4.5MHz

70、使用I/O口时应该注意的问题

71、ADC的Vref+和Vdda与VSS，Vref-一定要加高质量的滤波电容，切靠近单片机。

72、ADC分为规则组和注入组，前者有16个通道，后者有4个通道。并且16个通道公用一个数值寄存器，注入组的4个通道分别有一个数值寄存器。

73、采样频率越高，输入阻抗要求越小。

74、Stm32进入中断的最短周期为6个周期

75、

76、

77、FSMC，即灵活的静态存储控制器。能够与同步或异步存储器和16位PC存储器卡接口，STM32的FSMC接口支持包括SRAM、NANDFLASH、NORFLASH和PSRAM等存储器。

78、平时所说的U盘里的FLASH存储器有两种类型：NANDflash和NOR flash。

79、TFT在操作时，可以当作外部SRAM来操作，这样的话，如果单片机有FSMC接口，就可以使用NORFLASH的SRAM接口去控制，速度非常快。

80、Stm32的的FSMC有4个256MB的存储块，一共寻址1GB的外部存储器空间。

81、在STM32内部，FSMC的一端通过内部高速总线AHB连接到内核Cortex－M3，另一端则是面向扩展存储器的外部总线。内核对外部存储器的访问信号发送到AHB总线后，经过FSMC转换为符合外部存储器通信规约的信号，送到外部存储器的相应引脚，实现内核与外部存储器之间的数据交互。

82、FSMC中的DATASET和ADDSET的设置需要参看外部存储器的时序图来确定。一般而言，DATASET指的是数据建立时间，也就是读/写信号开始到读/写信号停止（上升沿存储数据）的持续时间。（一般来说写比读快！）。而ADDSET指的是地址建立时间，指的是片选之后到读/写操作之前的时间，这是针对SRAM来说的，如果操纵的是TFT，不存在地址线，所以此时的ADDSET就是读/写信号结束到RS电平的转换时间。